Bibliografie

(eng): Self assembled InAs quantum dots in GaAs/GaAlAs structures were examined by ballistic electron emission icroscopy/spectroscopy. The studied structures were grown by metal beam epitaxy. Quantum dots with an image of elliptical shape were studied. Ballistic current-voltage characteristics through the quantum dot and outside the quantum dot are studied. Examples of ballistic characteristics and their derivatives in the quantum dot resonant level region are given.

(cze): Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie byly studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs/GaAlAs heterostruktuře. Měřené struktury byly narosteny metodou molekulární svazkovou epitaxií. Byly studovány tečky s eliptickým obrazem. Jsou uvedeny příklady spektroskopických chrakteristik na a mimo kvantovou tečku. Dále jsou uvedeny příklady spektroskopických charakteristik s jejich derivacemi v oblasti hladin v kvantové tečce.