Bibliografie

(eng): Self assembled InAs quantum dots in GaAs/GaAlAs structures were examined by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy. The studied structures were grown by metal-organic chemical vapor deposition. Quantum dots with an image of elliptical shape were studied. Ballistic current-voltage characteristics through the quantum dot and outside the quantum dot are compared in the voltage range of 0,55 V to 2 V. In the voltage range from 0.55 V to 0.8 V examples of ballistic characteristics and their derivatives are given.

(cze): Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie byly studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs/GaAlAs heterostruktuře. Měřené struktury byly narosteny metalorganickou epitaxií. Byly studovány tečky s eliptickým obrazem. Jsou uvedeny příklady spektroskopických chrakteristik na a mimo kvantovou tečku v napěťovém rozsahu 0,55V až 2V. Dále jsou uvedeny příklady spektroskopických charakteristik s jejich derivacemi v napěťovém rozsahu 0,55V až 0,8V.